Primjena mikroskopa u strateškoj LED industriji u nastajanju
1, Uvođenje materijala safirne podloge
Zbog dobrih izolacijskih svojstava safira, dielektrični gubitak je mali, otpornost na visoke temperature, otpornost na koroziju. Dobra toplinska vodljivost, mehanička čvrstoća je dovoljno visoka. I može se obraditi u ravnu površinu. Pojas prijenosa je širok. Stoga se široko koristi u industriji, nacionalnoj obrani, znanstvenim istraživanjima u mnogim područjima. U isto vrijeme također je dobar materijal za podlogu za širok raspon dioda koje emitiraju svjetlost. U generaciji svjetlećih dioda * obećava da će postati obitelj svjetlećih dioda visoke svjetline supstrata od safirne podloge sljedećom generacijom fluorescentnih svjetiljki, materijala za supstrat poluvodičkih uređaja koji emitiraju svjetlo. Trenutno se ove svjetleće diode visoke svjetline naširoko koriste u oglašavanju, semaforima, instrumentima; i kirurška svjetla i druga polja. Uz sve veću primjenu svjetlećih dioda visoke svjetline.
LED Safir (Sapphire) je monokristal aluminijevog oksida, također poznat kao korund. Safirni kristal ima izvrsna optička svojstva, mehanička svojstva i kemijsku stabilnost, visoku čvrstoću, tvrdoću, otpornost na ispiranje, može biti blizu visoke temperature od 2000 stupnjeva u teškim uvjetima. Prema istraživanju, postoje samo četiri materijala supstrata koji se mogu primijeniti na LED diode (vidi tablicu I u nastavku). Safir, kao važan tehnološki kristal, sada ima moderniju i zreliju primjenu u LED industriji.
2. Prijave
Pomoću Leica polarizacijskog mikroskopa moguće je identificirati abnormalnu dvolomnost u kristalima safira. Pod određenim okolnostima, uz pomoć konusnog svjetlosnog mikroskopa, možete promatrati interferencijski uzorak kristala, odrediti aksijalnost kristala, koristiti za promatranje je li smjer svake pločice ujednačen, kako biste procijenili je li supstrat dobar ili loše.
Leica mikroskop, skenirajući elektronski mikroskop u proizvodnji LED epitaksijalne pločice, primjene postupka pripreme LED čipa
1, Uvođenje LED epitaksijalne ploče
Osnovno načelo rasta LED epitaksijalne ploče je: u komadu koji se zagrijava na odgovarajuću temperaturu supstrata (uglavnom safir i, SiC, Si), plinovita tvar InGaAlP kontrolirani transport do površine supstrata, rast specifični monokristalni film. Trenutna LED epitaksijalna tehnologija rasta pločica uglavnom koristi metodu kemijskog taloženja iz pare organskih metala (MOCVD)
2, uvođenje LED čipa
LED čip, također poznat kao LED čip koji emitira svjetlost, jezgra je komponente LED svjetla, koje se također naziva PN spojem. Njegova glavna funkcija je: pretvaranje električne energije u svjetlosnu energiju, glavni materijal čipa je monokristalni silicij. Poluvodički čip se sastoji od dva dijela, jedan dio je P-tip poluvodiča, u kojem dominiraju rupe, drugi kraj je N-tip poluvodiča, s ove strane je uglavnom elektronički. Ali kada su ta dva poluvodiča spojena, između njih nastaje PN spoj. Kada struja djeluje na ovu pločicu kroz žicu, elektroni se guraju u P područje, gdje se elektroni spajaju s rupama, a zatim se emitira energija u obliku fotona, što je princip LED luminiscencije. A valna duljina svjetlosti, koja je boja svjetlosti, određena je stvaranjem materijala PN spoja.
3, Primjena:
a) Koristite SEM za otkrivanje informacija o morfologiji dislokacijske korozije kristalne površine nakon epitaksijalnog rasta pločice;
Značaj koji daje morfologija dislokacijske korozije površine kristala: dislokacijska korozija svakog uzorka ima različite oblike, a kristal pripada točkastoj skupini, a struktura kristala određena je ulogom kemijskog korozivnog agensa da uništi molekule i atoma unutar kristalnih interakcija između veze, sila vezivanja manjeg prvo treba uništiti, tako da se formira određeni oblik korozije korozije određene točke, tako da je dobra slika korozije korozije na mjesto je pojedinosti ** renderiranja, može se u potpunosti utjeloviti u kvaliteti obrasca rasta kristala.
