Primjena infracrvenih mikroskopa u mikro uređajima u elektroničkoj industriji
Pozadina Uvod
S razvojem nanotehnologije, njezina top-down metoda minijaturizacije sve se više primjenjuje u području tehnologije poluvodiča. IC tehnologija se ranije nazivala "mikroelektronička" tehnologija jer je veličina tranzistora bila na mikrometarskoj skali (10⁻⁶ metara).
Unatoč tome, tehnologija poluvodiča brzo napreduje, s novom generacijom koja se pojavljuje svake dvije godine, a veličine značajki smanjuju se za polovicu. Ovo je dobro poznati Mooreov zakon. Prije otprilike 15 godina, industrija poluvodiča ušla je u submikronsku eru, gdje su dimenzije manje od jednog mikrometra, nakon čega je uslijedila duboka submikronska era s veličinama značajki daleko ispod jednog mikrometra. Do 2001. dimenzije tranzistora pale su čak ispod 0,1 mikrometara, točnije manje od 100 nanometara. Stoga smo u eri nanoelektronike i većina budućih integriranih sklopova (IC) bit će proizvedena pomoću nanotehnologije.
Tehnički zahtjevi
Trenutno je primarni način kvara elektroničkih komponenti toplinski kvar. Statistike pokazuju da je 55% kvarova elektroničkih uređaja uzrokovano temperaturama koje prelaze zadane granice. Kako temperatura raste, stopa kvarova elektroničkih uređaja raste eksponencijalno. Općenito, radna pouzdanost elektroničkih komponenti iznimno je osjetljiva na temperaturu. Kada je temperatura uređaja u rasponu od 70-80 stupnjeva, svaki porast od 1 stupnja smanjuje pouzdanost za 5%. Stoga je potrebno brzo i pouzdano mjerenje temperature komponenti. Kako se poluvodički uređaji nastavljaju smanjivati u veličini, postavljaju se sve veći zahtjevi za temperaturnu i prostornu rezoluciju opreme za inspekciju.
