Kako koristiti multimetar za otkrivanje kvalitete epruveta za efekt polja?
Zbog prisutnosti prigušivačke diode između DS stupova najčešće korištenih MOSFET -a, performanse MOSFET -a mogu se odrediti korištenjem razine diode digitalnog multimetra za otkrivanje pada napona diode između DS polova. Detaljna metoda otkrivanja je sljedeća.
Prekidač stupnja digitalnog multimetra okrenite na diodni način rada, povežite crvenu sondu na S stup i crnu sondu na D stup. U ovom trenutku, zaslon multimetra prikazat će vrijednost pada napona diode između DS polova. Vrijednost pada napona tranzistora visoke snage efekta polja obično je između 0. 4 i {0. 8V (uglavnom oko 0. 6V); Ne bi trebalo biti pad napona između crne sonde spojene na S stup, crvena sonda spojena na D stup, a G stup i druge igle (na primjer, u tranzistoru efekta polja N-kanala, tranzistor efekta polja P-kanala trebao bi imati vrijednost pada napona kada je Crveni sondi spojen na stup s D i crna sonda). Naprotiv, to ukazuje da je tranzistor polja oštećen.
Tranzistori na terenu obično su oštećeni raspadom, a u ovom slučaju pinovi su obično u stanju kratkog spoja. Stoga bi vrijednost pada napona između igara također trebala biti OV. Nakon svakog mjerenja tranzistora efekta MOS polja, na kondenzatoru GS spoja naplatit će se mala količina naboja, uspostavljajući naponski UGS. Kada se ponovo mjeri, sonda se ne može pomicati (ako koristi digitalni multimetar, pogreška mjerenja bit će velika). U ovom trenutku, kratki spoj GS terminale nakratko.
Oštećenja tranzistora s efektom na terenu obično je uzrokovana razgradnjom i kratkim spojem. U ovom trenutku, mjereći multimetar, igle su obično međusobno povezane. Nakon oštećenja tranzistora na terenu, općenito nema očiglednog oštećenja. Za ozbiljno prevladavajuće oštećene tranzistore polja, to može eksplodirati.
