Identifikacija i procjena FET-ova pomoću multimetra
Tranzistor s efektom polja, skraćeno FET. Tipični tranzistor je sastavljen od dva polariteta nositelja naboja, naime većinskih nositelja naboja i manjinskih nositelja naboja suprotnog polariteta, koji sudjeluju u vodljivosti, pa se stoga naziva bipolarni tranzistor. Nasuprot tome, FET se sastoji samo od većinskih nositelja naboja koji sudjeluju u vodljivosti, a suprotan je bipolarnom, također poznatom kao unipolarni tranzistor. Pripada naponski kontroliranim poluvodičkim uređajima i ima prednosti visokog ulaznog otpora (108-109 Ω), niske buke, niske potrošnje energije, velikog dinamičkog raspona, jednostavne integracije, bez sekundarnog fenomena kvara i širokog sigurnog radnog područja. Postao je jak konkurent bipolarnim tranzistorima i tranzistorima snage.
Ispitivanje tranzistora s efektom polja
1. Identifikacija pina spojnog tranzistora s efektom polja:
Vrata tranzistora s efektom polja ekvivalentna su bazi tranzistora, a sors i odvod odgovaraju emiteru i kolektoru tranzistora. Postavite ga u raspon R × 1k i upotrijebite dvije sonde za mjerenje otpora naprijed i nazad između svaka dva pina. Kada su prednji i obrnuti otpori između dva pina jednaki, oba reda veličine K Ω, ova dva pina su odvod D i izvor S (međusobno zamjenjivi), a preostali pin je vrata G. Za spojni tranzistor s efektom polja s četiri pina, drugi pol je oklop (uzemljen tijekom upotrebe).
2. Sudbena vrata
Dodirnite jednu elektrodu cijevi crnom sondom multimetra, a druge dvije elektrode dodirnite crvenom sondom. Ako su dvaput izmjerene vrijednosti otpora vrlo male, to znači da su obje otpornici prema naprijed. Ovaj tranzistor pripada N-kanalnom tranzistoru s efektom polja, a crna sonda je također spojena na gate.
Proces proizvodnje određuje da su sors i odvod tranzistora s efektom polja simetrični, međusobno zamjenjivi i da ne utječu na normalan rad kruga, tako da ih nema potrebe razlikovati. Otpor između izvora i odvoda je oko nekoliko tisuća ohma.
Imajte na umu da se ova metoda ne može koristiti za određivanje vrata tranzistora s efektom polja s izoliranim vratima. Budući da je ulazni otpor ove vrste cijevi izuzetno visok, a međuelektrodni kapacitet između vrata i izvora vrlo mali, mala količina naboja može stvoriti visok napon na međuelektrodnom kapacitetu tijekom mjerenja, što može lako oštetiti cijev.
